-
1 туннелирование дырок
фтт hole tunneling -
2 туннелирование
с.амер. tunneling; англ. tunnelling- джозефсоновское туннелирование
- зенеровское туннелирование
- изотермическое туннелирование
- квантовое туннелирование
- межзонное туннелирование
- многочастичное туннелирование
- неупругое резонансное туннелирование
- обратное туннелирование
- одночастичное туннелирование
- оптическое туннелирование
- подбарьерное туннелирование
- прямое туннелирование
- сверхпроводящее туннелирование
- туннелирование в сверхпроводниках
- туннелирование дырок
- туннелирование ионов
- туннелирование примесей
- туннелирование через потенциальный барьер
- туннелирование электронов
См. также в других словарях:
МЕЖЗОННОЕ ТУННЕЛИРОВАНИЕ — (зинеровский пробой) туннелироианпе электронов из валентной зоны диэлектрика или полупроводника в зону проводимости через запрещённую зону под действием электрич. поля (см. Туннельный эффект).M. т. можно рассматривать как рождение пары электрон… … Физическая энциклопедия
p - n-ПЕРЕХОД — (электронно дырочный переход) слой с пониженной электропроводностью, образующийся на границе полупроводниковых областей с электронной (n область) и дырочной ( р область) проводимостью. Различают гомопереход, получающийся в результате… … Физическая энциклопедия
ЗОННАЯ ТЕОРИЯ — твёрдых тел, квантовая теория энергетич. спектра эл нов в кристалле, согласно к рой этот спектр состоит из чередующихся зон (полос) разрешённых и запрещённых энергий. З. т. объясняет ряд св в и явлений в кристалле, в частности разл. хар р… … Физическая энциклопедия
КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ — неравновесные электронные явления, возникающие при прохождении электрич. тока через контакт полупроводника с металлом или электролитом или через контакт двух различных полупроводников (гетеропереход )либо через границу двух областей одного и того … Физическая энциклопедия
P — n-переход — (n negative отрицательный, электронный, p positive положительный, дырочный), или электронно дырочный переход разновидность гомопереходов, Зоной p n перехода называется область полупроводника, в которой имеет место… … Википедия
Р — n-переход — p n переход (n negative отрицательный, электронный, p positive положительный, дырочный), или электронно дырочный переход разновидность гомопереходов, область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости … Википедия
Электронно-дырочный переход — p n переход (n negative отрицательный, электронный, p positive положительный, дырочный), или электронно дырочный переход разновидность гомопереходов, область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости … Википедия
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ — электронные компоненты, изготовленные в основном из полупроводниковых материалов (см. ниже). К числу таких компонентов относятся транзисторы, интегральные схемы, оптоэлектронные приборы, сверхвысокочастотные (СВЧ) приборы и выпрямители.… … Энциклопедия Кольера
РЕКОМБИНАЦИОННОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ — (рекомбина ционная люминесценция) люминесценция полупроводника (и диэлектриков), обусловленная рекомбинацией неравновесных электронов и дырок. В отличие от др. видов люминесценции, под Р. и. понимают процесс, к рому предшествует образование… … Физическая энциклопедия
электронно-дырочный переход — то же, что р n переход. * * * ЭЛЕКТРОННО ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД ЭЛЕКТРОННО ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД (p n переход, n p переход), переходная область полупроводника (см. ПОЛУПРОВОДНИКИ), в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости от… … Энциклопедический словарь
Лазерный диод — Лазерный диод полупроводниковый лазер, построенный на базе диода. Его работа основана на возникновении инверсии населённостей в области p n перехода при инжекции носителей заряда.[1][2] Содержание 1 П … Википедия